KRI 霍尔离子源辅助制备碳化硅改性薄膜

反射镜的反射率取决于表面的粗糙度, 因此, 为了解决反应烧结碳化硅存在的孔洞和双金属性问题, 普遍采用通过给表面镀制一层厚的硅或者碳化硅的方法, 一达到表面改性的目的.

碳化硅材料凭借其优异的物理性能和良好的加工特性成为当前空间应用的主要新型反射镜材料.

离子源辅助镀膜的薄膜制备工艺已成为一种成熟、高效的方法. 霍尔离子源可以通过电离惰性气体, 输出离子流密度均匀并具有较高能量的等离子体.

KRI 霍尔离子源辅助制备碳化硅改性薄膜

某国内精密光学制造商为了进一步提高碳化硅反射镜基底表面光学质量, 满足高质量空间光学系统的应用需求, 采用电子*****蒸发纯硅, KRI 霍尔离子源喷出的氢离子电离甲烷, 并以离子辅助沉积的方法在反应烧结碳化硅基底上镀制了表面改性用碳化硅薄膜, 并对改性膜层进行了光学抛光处理.

KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列产品特性:

1.无栅极

2.高电流低能量

3.发散光束 >45°

4.可快速更换阳极模块

5.可选 Cathode / Neutralize 中和器

在离子源工作之前, 镀膜腔体需要将真空度抽至8x10-4 Pa, 该国内精密光学制造商采用普发 Pfeiffer Hipace 80 对镀膜腔体进行抽真空.

涡轮分子泵  HiPace 80 技术参数

伯东美国 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵 Hipace 80 满足客户的工艺需求. 制造商在该工艺条件下制备的碳化硅薄膜为α相, 通过高分辨光学显微镜对抛光后的反应烧结碳化硅基底进行缺陷观察, 发现改性抛光后基底表面缺陷和孔洞明显减少.

这种镀制碳化硅表面改性的方法在抛光后可以有效降低表面粗糙度, 并且散射值有了明显的降低, 不到改性之前的1/8. 制备的碳化硅薄膜在冷人温度冲击下非常稳定, 无脱膜、龟裂.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

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