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考夫曼射频离子源RFICP220辅助磁控溅射沉积Cu-W 膜

采购类型:
  • 价格要求: 电议
  • 采购数量:大量
  • 包装要求:无要求
  • 采购情况:长期有效
  • 所在地:广东深圳市
  • 发布日期:2021-06-17 11:16
  • 信息有效期: 长期有效
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采购信息描述
  • 所在地:广东深圳市
  • 有效期至:长期有效
  • 浏览次数:35
  为了得到最jia性能的磁控溅射 Cu-W 薄膜某大学新材料研究所采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 辅助磁控溅射技术在基片上沉积 Cu-W .

 

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

portant;">

射频离子源型号

portant;">

RFICP380

portant;">

Discharge 阳极

portant;">

射频 RFICP

portant;">

离子束流

portant;">

>1500 mA

portant;">

离子动能

portant;">

100-1200 V

portant;">

栅极直径

portant;">

30 cm Φ

portant;">

离子束

portant;">

聚焦平行散射

portant;">

流量

portant;">

15-50 sccm

portant;">

通气

portant;">

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

portant;">

典型压力

portant;">

< 0.5m Torr

portant;">

长度

portant;">

39 cm

portant;">

直径

portant;">

59 cm

portant;">

中和器

portant;">

LFN 2000

 

上图为磁控溅射系统工作示意图

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的因此伯东的KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 被客户采用作为 4, 5 溅射离子源.

 

客户材料:

基片为φ25mmX4mm 的玻璃片靶纯度 99.9%尺寸 φ76mmX4mm铜靶纯度 99.99%尺寸 φ76mmX4mm工作气体为纯度 99.99% 的氩气.

 

运行结果:

 W 含量在11.1%Cu-W 薄膜具有最hao的硬度和耐磨性.

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵检漏仪质谱仪真空计美国 KRI 考夫曼离子源美国HVA 真空阀门美国 inTEST 高低温冲击测试机美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论请参考以下联络方式:

上海伯东罗先生                               台湾伯东王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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