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KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:
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射频离子源型号 |
RFICP380 |
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Discharge 阳极 |
射频 RFICP |
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离子束流 |
>1500 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
30 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
39 cm |
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直径 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:
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离子源型号 |
eH3000 |
eH3000LO |
eH3000MO |
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Cathode/Neutralizer |
HC |
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电压 |
50-250V |
50-300V |
50-250V |
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电流 |
20A |
10A |
15A |
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散射角度 |
>45 |
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可充气体 |
Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
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气体流量 |
5-100sccm |
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高度 |
6.0“ |
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直径 |
9.7“ |
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水冷 |
可选 |
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F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
涡轮分子泵 HiPace 2300 技术参数：
| portant;">
型号 |
portant;">
接口 DN |
portant;">
抽速 l/s |
portant;">
压缩比 |
portant;">
最高启动压强hPa |
portant;">
极限压力 |
portant;">
全转速气体流量hPa l/s |
portant;">
启动时间 |
portant;">
重量 |
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| portant;">
进气口 |
portant;">
排气口 |
portant;">
氮气N2 |
portant;">
氦气He |
portant;">
氢气 H2 |
portant;">
氮气N2 |
portant;">
氮气N2 |
portant;">
hPa |
portant;">
氮气N2 |
portant;">
min |
portant;">
kg |
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| portant;">
HiPace 2300 |
portant;">
250 |
portant;">
40 |
portant;">
1,900 |
portant;">
2,000 |
portant;">
1,850 |
portant;">
> 1X108 |
portant;">
1.8 |
portant;">
< 1X10–7 |
portant;">
20 |
portant;">
4 |
portant;">
34 – 47 |
镀膜机实际运用案例：
采用多靶磁控溅射镀膜机在 UO_2 陶瓷 IFBA 芯块表面上溅射沉积 ZrB_2 涂层，与其他未引用 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵的多靶磁控溅射镀膜机相比, 引进 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵后, 其镀制的 ZrB_2 涂层附着力明显提高, 涂层厚度更加均匀, 晶粒更加细小, 沉积率更高.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
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