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| 公司名称： |
大芯超导有限公司 |
公司类型： |
企业单位 () |
| 所在地区： |
广东/深圳市 |
公司规模： |
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| 注册资本： |
未填写 |
注册年份： |
2012 |
| 资料认证： |
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| 保 证 金： |
已缴纳 ￥0.00 元 |
| 经营范围： |
光伏逆变器升压SiC碳化硅二极管，光伏逆变器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，IGBT单管，混合IGBT单管，SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块，SOT-227碳化硅肖特基二极管模块，混合SiC-IGBT模块，BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管，分立碳化硅MOSFET，TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，储能逆变器SiC MOSFET，光伏逆变器SiC MOSFET，光储一体机混合IGBT器件 |
| 销售产品： |
光伏逆变器升压SiC碳化硅二极管，光伏逆变器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，IGBT单管，混合IGBT单管，SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块，SOT-227碳化硅肖特基二极管模块，混合SiC-IGBT模块，BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管，分立碳化硅MOSFET，TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，储能逆变器SiC MOSFET，光伏逆变器SiC MOSFET，光储一体机混合IGBT器件 |
| 采购产品： |
光伏逆变器升压SiC碳化硅二极管，光伏逆变器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，IGBT单管，混合IGBT单管，SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块，SOT-227碳化硅肖特基二极管模块，混合SiC-IGBT模块，BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管，分立碳化硅MOSFET，TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，储能逆变器SiC MOSFET，光伏逆变器SiC MOSFET，光储一体机混合IGBT器件 |
| 主营行业： |
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