Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 技术参数:
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Model |
MEL3100 |
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Wafer size |
3"～6" |
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Wafer per batch |
1 wafer |
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Cassette No. |
25 wafers |
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Cassette Q'ty |
1pc. |
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Throughput |
10 (wafer/hr) *1 |
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Pressure Ultimate |
8×10-5 (Pa) *2 |
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Pressure Process |
2×10-2 (Pa) *2 |
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Etching Rate |
>10 (nm/min)@SiO2 *3 |
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Etching Uniformity |
±5%@132mm (6") *3 |
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Wafer surface temp. |
<100℃ *3 |
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Stage rotating |
1～20 (rpm) ±5% |
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Stage tilting |
±90°±0.5° |
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*1: Estimated process time 5min |
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*2: No wafer on stege / process chamber |
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*3: Depending on process |
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该工厂采用 Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 的主要原因:
1. 所有流程全自动减少人工操作, 从而保证了产品的无差错、高稳定性和高质量
2. 采用高质量的蚀刻考夫曼离子源, 保证良好的均匀性和高蚀刻率
3. 占用空间小
4. 控制单元系统提供操作通过触摸屏/ 10.4英寸, 数据记录可以显示在屏幕上
5. 高冷却效果
6. 良好的重复性和再现性的旋转和倾斜阶段具有良好的可重复性利用脉冲电动机
7. 快速响应时间和本地服务能力, 减少停机时间的工具
工厂采用 Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 运行结果：
1. 提高蚀刻过程的均匀性
2. 提高精密程度, 提高产线的生产工艺能力
3. 提高产线的生产率, 降低劳动强度, 保证生产的连续性
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